MPSA12 NPN Darlington ترانزستور

MPSA12 NPNدارلينجتون الترانزستور

The MPSA12 NPN Darlington Transistor is a silicon planar NPN bipolar transistor arranged in a Darlington configuration to deliver exceptionally high current gain for switching and amplification tasks in electronic designs. This transistor is engineered to provide robust performance in circuits where a high input impedance and substantial current amplification are essential. Its Darlington pair architecture internally combines two transistors, achieving a typical DC current gain (hFE) of up to 20,000 at IC = 10 mA, VCE = 5 V, making it suited for applications requiring significant gain with minimal base drive.

سمات:

• تكوين دارلينجتون لمعالجة التيار المضخم في حزمة واحدة.
• تيارات تسرب منخفضة تضمن التشغيل الفعال خارج الدولة.
• حزمة TO-92 المدمجة لسهولة التكامل من خلال الفتحة.
• نطاق واسع لدرجة حرارة التشغيل من أجل المرونة البيئية.

تحديد:

تكوين الدبوس:

البصمة:

التطبيق:

• مرحلات القيادة والملفات اللولبية والمصابيح من مصادر التيار المنخفض.
• تضخيم إشارة الاستشعار في دوائر الكشف.
• واجهة بين وحدات التحكم الدقيقة وأحمال الطاقة العالية.
• التبديل في وحدات التحكم في إمدادات الطاقة.
• مراحل عالية الكسب في مكبرات الصوت ذات التردد المنخفض.
• الأجهزة التي تعمل بالبطارية والتي تتطلب التحكم الحالي الفعال.

تتضمن العبوة:

1x MPSA12 NPN دارلينجتون الترانزستور.

ورقة البيانات:

MPSA12