G40T120FDL5 IGPT ترانزستور 1200V 40A TO-247

G40T120FDL5ترانزستور اي جي بي تيZKEEP0Z ZKEEP1Z TO-247

The G40-T120FDL5 IGBT Transistor in TO-247 package is a high-efficiency power semiconductor device engineered for demanding switching applications. This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) combines the high input impedance and fast switching characteristics of a MOSFET with the low conduction losses of a bipolar transistor, making it ideal for modern power electronics systems.

ميزة:

• معدل جهد عالي للباعث المجمع يصل إلى ZKEEP0Z.
• جهد تشبع منخفض لتقليل خسائر التوصيل.
• أداء تبديل سريع مع خسائر تبديل منخفضة.
• تقنية IGBT المتقدمة للخنادق والتوقف الميداني.
• قدرة عالية على التعامل مع التيار تصل إلى ZKEEP0Z.

تحديد:

البعد:

بصمة القدم:

التطبيقات:

• إمدادات الطاقة غير المنقطعة (UPS).
• محولات وآلات اللحام.
• محولات DC-DC وAC-DC عالية التردد.
• محركات المحركات الصناعية والعاكسات.
• محولات الطاقة الشمسية والمتجددة.
• معدات التدفئة التعريفي.
• دوائر تصحيح معامل القدرة.
• إلكترونيات الطاقة المهنية وأنظمة الأتمتة.

تتضمن العبوة:

1x G40-T120FDL5 الترانزستور IGPT TO-247

ورقة البيانات:

G40T120FDL5