G100N60FDK IGBT طاقة ترانزستور

G100N60FDKترانزستور الطاقة IGBT

The G100N60FDK is a rugged IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) designed for 600 V blocking and roughly 100 A continuous current. As an IGBT, it combines a MOS-gate input with a bipolar conduction layer to achieve both fast switching and low conduction loss. It is housed in a TO‑247‑3 (3-pin) package with an exposed back tab (collector) and is built on Trench/Field-Stop semiconductor technology for optimal performance. This advanced field-stop design yields very low saturation voltage on the order of ~1.8 V at 100 A and very low turn-off energy, minimizing power loss.

سمات:

• ZKEEP0Z تصنيف الجهد الكهربي للباعث.
• ZKEEP0Z تيار المجمع المستمر.
• القدرة على التبديل عالية السرعة.
• انخفاض فقدان التوصيل لكفاءة الطاقة.

تحديد:

تكوين الدبوس:

• Pin1-gate.
• Pin2 وجامع المؤخر.
• Pin3-emitter.

التطبيقات:

• إمدادات الطاقة غير المنقطعة.
• محولات اللحام.
• المحولات ذات تردد التبديل العالي.

تتضمن العبوة:

• 1x ترانزستور الطاقة G100N60FDK IGBT.