Wahy Electronics

BUV47 NPN Bipolar طاقة ترانزستور

(4.9)

متوفر في المخزون SKU: 12C17FA9B0

50.00 EGP

توصيل سريع لجميع المحافظات

ضمان استرجاع لمدة 14 يوماً

دعم فني واستفسارات عبر واتساب

BUV47 NPNترانزستور الطاقة ثنائي القطب

The BUV47 is a high-performance Silicon NPN Power Transistor. It features a robust Collector-Emitter Sustaining Voltage of ZKEEP0Z and a low Collector-Emitter Saturation Voltage of ZKEEP1Z (Max.) at ZKEEP2Z. With high-speed switching capabilities and minimal lot-to-lot variations, this transistor ensures reliable operation and consistent performance, making it an ideal choice for various power applications.

سمات

الجهد المستدام للجامع والباعث: VCEO(SUS) = ZKEEP0Z
جهد تشبع الجامع-الباعث: VCE(sat) = ZKEEP0Z (الحد الأقصى) @ IC = ZKEEP1Z
تبديل عالي السرعة
الحد الأدنى من الاختلافات من مجموعة إلى مجموعة للحصول على أداء قوي للجهاز وتشغيل موثوق

تحديد

الحد الأقصى المطلق للتقييمات (Tj=ZKEEP0Z)

رمز	المعلمة	القيمة	وحدة
فكبو	جامع قاعدة الجهد	850	V
نائب الرئيس التنفيذي	جامع-باعث الجهد	400	V
فيبو	باعث قاعدة الجهد	7	V
IC	جامع الحالي المستمر	9	أ
آي سي إم	جامع الذروة الحالية	15	أ
البكالوريا الدولية	القاعدة الحالية المستمرة	8	أ
آي بي إم	قاعدة الذروة الحالية	10	أ
جهاز كمبيوتر	تبديد طاقة المجمع @ TC = ZKEEP0Z	100	دبليو
تي جي	درجة حرارة الوصلة	150	درجة مئوية
Tstg	نطاق درجة حرارة التخزين	-65~150	درجة مئوية

الخصائص الكهربائية

الرمز	المعلمة	الشروط	دقيقة	اكتب	الأعلى	وحدة
نائب الرئيس التنفيذي (SUS)	جامع باعث الحفاظ على الجهد	IC= ZKEEP0Z; IB= 0	400	–	–	V
الخامس (BR) إيبو	باعث قاعدة انهيار الجهد	IE= ZKEEP0Z; IC= 0	7	–	–	V
VCE(السبت)-1	جامع-باعث تشبع الجهد	IC= ZKEEP0Z; IB= ZKEEP1Z	–	–	1.5	V
VCE(السبت)-2	جامع-باعث تشبع الجهد	IC= ZKEEP0Z; IB= ZKEEP1Z	–	–	3.0	V
VBE (جلس)	جهد تشبع الباعث الأساسي	IC= ZKEEP0Z; IB= ZKEEP1Z	–	–	1.6	V
ICBO	جامع قطع التيار	VCE= ZKEEP0Z; IB= 0	–	–	0.15	أماه
إيبو	باعث قطع التيار	VEB= ZKEEP0Z; IC= 0	–	–	1.0	أماه