2N3053 General Purpose NPN ترانزستور TO-39

ال 2N3053 هو ترانزستور السيليكون NPN في حزمة TO-39 المعدنية can. This type of case is designed primarily for amplifier and switching applications. This device features high breakdown voltage, low leakage current, low capacity, and beta useful over an extremely wide current range.

تكوين دبوس الترانزستور 2N3053

نظرة عامة وميزات أساسية للترانزستور 2N3053

• ترانزستور NPN ثنائي القطب
• DC الكسب الحالي (hFE) هو 50 كحد أقصى
• تيار المجمع المستمر (IC) هو ZKEEP0Z
• جهد قاعدة الباعث (VBE) هو ZKEEP0Z
• التيار الأساسي (IB) هو ZKEEP0Z كحد أقصى
• الحد الأقصى لجهد قاعدة المجمع | Vcb |: ZKEEP0Z
• Collector-Emitter Voltage |Vce| :ZKEEP0Z
• تبديد المجمع: ZKEEP0Z
• تردد الانتقال: >ZKEEP0Z
• نطاق درجة حرارة التشغيل والتخزين -65 إلى +ZKEEP0Z
• سعة المجمع <ZKEEP0Z
• سعة الإدخال <ZKEEP0Z
• متوفر في حزمة TO-39 المعدنية Can

ملحوظة: يمكن العثور على التفاصيل الفنية الكاملة can في 2N3053 ورقة البيانات الواردة في نهاية هذه الصفحة.

العمل الأساسي للترانزستور

الترانزستور 2N3053 هو ترانزستور N-P-N للأغراض العامة، ترانزستور الوصل هو عبارة عن بناء محصور بين طبقتين من مادة من النوع N أو مادة من النوع P، اعتمادًا على البناء، تنقسم الترانزستورات إلى فئتين الترانزستور NPN and PNP transistor, which are shown below. transistors are made up of silicon or germanium, depending upon the application, the applicant has to choose an appropriate one.

الوصف العام للترانزستور 2N3053

2N3053 هو الترانزستور NPN so when no power is applied to the base, the collector and emitter will be left open (منحازة عكسية). Until positive voltage is applied to the base of the transistor, when there is a positive voltage, a small amount of current starts to flow from base to emitter and the transistor reaches it’s on state. The max gain of this transistor is 50, which determines the amplification factor of the device. The maximum base current is limited to ZKEEP0Z for this device, more than that and there is a good chance it could damage the device. The collector emitter current for this device is ZKEEP1Z more than ZKEEP2Z could damage the device. This is a ZKEEP3Z-rated transistor and can be used for many different applications.

عندما يكون هذا الترانزستور في حالة متحيزة، فإن can يسمح بحد أقصى لتيار ZKEEP0Z مع قدرة طاقة ZKEEP1Z عبر تقاطع CE (باعث المجمع)، وتسمى هذه الحالة للترانزستور حالة التشبع، and driving a load that consumes more current than ZKEEP0Z may damage the device. As you already may know a transistor is a جهاز التحكم الحاليلذلك عند إزالة التيار الأساسي سوف ينتقل الترانزستور إلى حالته الخارجية، في هذه المرحلة يعمل الترانزستور في حالته منطقة القطعلذلك لا يتدفق التيار عبر تقاطع الباعث الأساسي.

كيفية استخدام الترانزستور 2N3053

Transistors are current-controlled devices, meaning they can be turned on or off by supplying the required base current, for the 2N3053 Transistor it is ZKEEP0Z. 2N3053 is an NPN transistor which means it will be left open when no current is applied to its base, but when we apply a base voltage a small amount of base current flows through the transistor, and the transistor turns on. The simulated circuit below shows how this transistor behaves when a base current is applied to the and when no current is provided to the base.

When we turn on the transistor by supplying a required current to the base of the transistor, it will remain on unless the voltage at the base of the transistor reaches zero. The base of the transistor cannot be left floating otherwise there could be false triggering to the transistor which may lead to issues in the circuit. To resolve the issue, we need to add pulldown resistors. For example, a 10K resistor is used to pull down the base of the transistor.

ورقة بيانات 2N3053