μPD416C-3 Dynamic RAM 16K 16 طرف DIP

μPD416C-3 ديناميكيRAM16K 16 دبوس تراجع

The μPD416C-3 is a Dynamic NMOS Random Access Memory (DRAM) integrated circuit manufactured by NEC. Organized as 16,384 words by ZKEEP0Z, this memory device was developed to provide high storage density while maintaining a compact package size. Utilizing a double-poly-layer N-channel silicon gate process, the μPD416C-3 achieves excellent memory density and reliable operation for digital memory systems.

سمات:

• 16,384 × 1-bit منظمة NMOS الديناميكية RAM.
• حزمة 16-pin DIP القياسية.
• تصميم عالي الكثافة للذاكرة.
• مدخلات عنوان متعددة.
• وقت الوصول 150ns.
• يدعم عملية القراءة والتعديل والكتابة.
• يدعم دورات التحديث RAS فقط.
• القدرة على تشغيل وضع الصفحة.

المواصفات:

تكوين الدبوس:

التطبيقات:

• إصلاح وترميم الكمبيوتر القديم.
• استبدال النظام الفرعي القديم للذاكرة.
• صيانة معدات التحكم الصناعية.
• إصلاح معدات الاتصالات السلكية واللاسلكية.
• مشاريع الالكترونيات الرقمية التعليمية.
• مظاهرات بنية الذاكرة.
• مشاريع الحفاظ على الكمبيوتر التاريخية.
• جمع المكونات الإلكترونية وترميمها.
• تطوير نظام الذاكرة المدمجة.
• صيانة النظام المعتمد على المعالجات الدقيقة.

تتضمن العبوة:

1x μPD416C-3 ديناميكي RAM 16K 16 دبوس DIP

ورقة البيانات