P2114AL-3 4Kbit SRAM 150ns IC DIP-18

P2114AL-3 4Kbit SRAM 150ns IC DIP-18

The P2114AL‑3 is a high-performance, 4 Kbit static random-access memory device organized as 1,024 × 4 bits. Built on asynchronous MOS technology, it offers a maximum access time of 150 ns, supports three-state outputs, and operates from a standard 5 V ±10 % power supply. Packaged in a DIP‑18 form factor, it is designed for embedded and legacy systems requiring fast, reliable SRAM with low latency and minimal control overhead.

سمات

• تقنية إتش إم أو إس.
• طاقة منخفضة، سرعة عالية.
• دورة متطابقة ووقت الوصول.
• إمداد فردي +ZKEEP0Z ±10%
• حزمة 18-pin عالية الكثافة.
• ذاكرة ثابتة تمامًا دون الحاجة إلى ساعة أو وميض توقيت.
• TTL متوافق مباشرة مع جميع عمليات الإدخال/الإخراج.
• إدخال وإخراج البيانات المشتركة باستخدام مخرجات ثلاثية الحالات.
• ترقية M2114.
• نطاق درجة الحرارة العسكرية-ZKEEP0Z ti +ZKEEP1Z.
• لا ينصح به للتصاميم الجديدة.

المواصفات

الحد الأقصى المطلق للتقييمات

بينوت

التطبيقات

• ذاكرة تخزين مؤقت SRAM عالية السرعة أو ذاكرة تخزين مؤقت في أجهزة الكمبيوتر الصغيرة القديمة ولوحات المنطق المخصصة.
• التقاط البيانات في الوقت الحقيقي وتخزينها مؤقتًا في التحكم الصناعي والأجهزة.
• مكون الذاكرة في وحدات تحكم الألعاب القديمة أو مجموعات الاستعادة.
• تصميم المشاريع التي تتطلب وصولاً متوازيًا سريعًا وثابتًا منخفض السعة RAM.

المستندات

• ورقة بيانات P2114AL-3 SRAM.

ملاحظة: M2114AL-3 قابل للتبديل مع P2114AL-3.